【CNMO科技音书】10月12日万博manbext体育官网app(中国)官方网站，据韩媒报说念，三星电子正在扩大下一代NAND闪存产物z NAND的哄骗鸿沟。除已公开的z NAND-O外，里面还在初期缔造z NAND-T与z NAND-I，三款产物辞别对应不同的AI哄骗场景。

三星

此前，三星已公开过z NAND-O。当地本领8月4日，三星在好意思国加州圣克拉拉举行的FMS 2026大会上初次展出z NAND-O成见模子，这款产物面向端侧AI策画。与依靠引线键合把数据传至芯片外围的传统方式不同，z NAND-O用硅通孔（TSV）把NAND堆叠成4层或8层，数据传输旅途裁减，速率与能效随之晋升。三星在ODX 2026上先容，z NAND-O的比特密度可达DRAM的10倍，读取带宽与读取能效可达传统NAND闪存的7倍，中枢芯片层接纳SLC，可与NPU集成封装，通过UCIe表率接口互连。

三星z NAND-O模子

据报说念，z NAND-T主打婉曲量，面向高容量、高性能的AI数据中心，特质是将决定数据婉曲量的带宽作念到最大，相通接纳垂直堆重迭TSV的方式制造，业内称之为高带宽闪存（HBF）。z NAND-I则把IOPS也等于每秒可完成的输入输出次数作念到最大。带宽玩忽味着一次能惩办更大宗据，IOPS高意味着每秒完成的读写任务更多。KV缓存这类低容量临时数据需要常常惩办，AI推理场景因此更敬重高IOPS的NAND。

韩媒指出，三星把下一代NAND产物细分红三条线，最主要的原因在AI。公共大型科技公司正在缔造各式晋升AI数据惩办效果的架构，针对不同需求优化的NAND需求随之加多。三星尚未崇拜公布z NAND-T与z NAND-I，两款产物现在只在里面缔造。

SK海力士相通在缔造定制化AI NAND产物。该司旧年下半年搭起AIN（AI-NAND）产物家眷万博manbext体育官网app(中国)官方网站，包含AIN P、AIN D、AIN B三款，辞别对应性能、集成度与带宽。AIN P正在缔造最高1亿IOPS级产物，AIN D聚焦SSD存储容量，指标最高PB级，AIN B与HBF试验是归拢成见，重心在于膨胀带宽。